[发明专利]存储器混装半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410092285.2 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1614785A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 中林隆 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/10;H01L27/092;H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种存储器混装半导体装置，在共同的半导体衬底(1)上设置包括存储器晶体管的存储器部(Rdram)和包括逻辑晶体管的逻辑部(Rlogc)。逻辑晶体管包括在半导体衬底上设置的栅电极(11)和在半导体衬底内形成的源/漏扩散层(17)，在该源/漏扩散层(17)上形成硅化物膜(12)。另一方面，存储器晶体管包括在半导体衬底上设置的栅电极(21)和在半导体衬底内形成的源/漏扩散层(27)。在此源/漏扩散层(27)上形成比在逻辑晶体管的源/漏扩散层(17)上形成的硅化物膜(12)膜厚还要薄的硅化物膜(22)。由此，在维持逻辑晶体管的性能的同时，可以降低存储器晶体管的泄漏以及使动作高速化。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器混装半导体装置，在共同的半导体衬底上设置了包括存储器晶体管的存储器部和包括逻辑晶体管的逻辑部，其特征在于，所述逻辑晶体管包括：在所述半导体衬底上设置的栅电极、和在所述半导体衬底内形成的源/漏扩散层；在该源/漏扩散层上形成硅化物膜；所述存储器晶体管包括：在所述半导体衬底上设置的栅电极、和在所述半导体衬底内形成的源/漏扩散层；在该源/漏扩散层上形成比在所述逻辑晶体管的源/漏扩散层上形成的硅化物膜的膜厚还要薄的硅化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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