[发明专利]去除蚀刻残余的聚合物的方法有效
| 申请号： | 200410092324.9 | 申请日： | 2004-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1773681A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 郑懿芳;俞善仁;陈正坤;黄昱铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/02;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板，再以含氢等离子处理此基板，然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中，氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质，令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 蚀刻 残余 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除蚀刻残余的聚合物的方法，包括：提供形成有一聚合物的一基板，其中该聚合物为一蚀刻残余物；使用一含氢等离子处理该基板；以及使用湿式清洁法去除该基板上的该聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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