[发明专利]具有通过层叠模板层的局部非晶化和再结晶而形成的选定半导体晶向的平坦衬底无效
| 申请号： | 200410092371.3 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1630087A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 乔尔·P.·德索扎;约翰·A.·奥托;亚历山大·雷泽尼斯克;凯瑟琳·L.·斯恩格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种利用模板叠层的局部非晶化和再结晶来形成具有不同晶向的半导体层的平坦衬底的方法。还提供了用本发明方法形成的混合取向半导体衬底结构以及与包含排列在不同表面取向上的至少二个半导体器件用来提高器件性能的各种CMOS电路集成的这种结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 层叠 模板 局部 非晶化 再结晶 形成 选定 半导体 平坦 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种平坦的混合取向绝缘体上半导体即SOI衬底结构，它包含：具有不同表面取向的至少二个清楚地确定的单晶半导体区，所述至少二个清楚地确定的单晶半导体区设置在公共的埋置绝缘层上，所述公共的埋置绝缘层设置在衬底上。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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