[发明专利]半导体制造装置和图案形成方法无效
| 申请号： | 200410092387.4 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1617306A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 远藤政孝;笹子胜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：平台，所述平台具有其上形成抗蚀膜的衬底；液体供给部分，用于将液体供至所述平台上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除单元，用于去除包括在所述液体中的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410092387.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电缆连接用连接器
- 下一篇：带有用于降低浆液消耗的凹槽排列的研磨垫
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
