[发明专利]硅键合片界面缺陷的检测方法无效
| 申请号： | 200410092462.7 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632936A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 冯建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，它包括(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。该方法用于微电子机械制造中对硅/硅键合片界面的缺陷进行检测，能方便准确地判断其缺陷及其缺陷种类。 | ||
| 搜索关键词： | 硅键合片 界面 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：该方法为(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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