[发明专利]利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200410092535.2 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1614492A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 柳洵城;权五楠;赵兴烈 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和第一公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，并且栅绝缘膜位于其与选通线和公共线之间，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并通过穿过保护膜和栅绝缘膜的孔与公共线相连接的公共电极；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 水平 电场 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，并且栅绝缘膜位于其与选通线和公共线之间，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并与公共线相连接的公共电极，所述公共电极被布置在穿过保护膜和栅绝缘膜的公共电极孔内；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。
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