[发明专利]半导体装置及其制造方法、场致发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410092609.2 | 申请日： | 2004-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1619804A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 小枝周史 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/50;H01L29/78;H05B33/10;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以使TFT等半导体元件的焊盘的间距缩小化，并且提高与半导体元件的导通的可靠性，同时可以防止半导体元件的破损的半导体装置、半导体装置的制造方法及使用半导体装置的EL装置、使用半导体装置的制造方法的EL装置的制造方法。其特征是，在元件(13)和安装基板(10)之间，被利用由导电性材料(11)制成的单一的膜直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 发光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征是，元件和安装基板之间被由导电性材料制成的单一的膜直接连接。
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