[发明专利]输出级结构

摘要

本发明涉及一种输出级结构，其包含第一、第二p型金属氧化物半导体晶体管以及第一、第二n型金属氧化物半导体晶体管，其中，该些金属氧化物半导体晶体管是以双阱工艺制作。第一p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接电压源，栅极连接第一电压；第二p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极，栅极连接第二电压，漏极连接输出垫；第一n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接输出垫，栅极连接第三电压；第二n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一n型金属氧化物半导体晶体管的源极，栅极连接第四电压，源极连接一接地点。

主权项

1.一种互补型金属氧化物半导体晶体管输出级结构，其包含：一第一p型金属氧化物半导体晶体管，该第一p型金属氧化物半导体晶体管具有一第一源极、一第一栅极、一第一漏极以及一第一基体端点，该第一源极耦接于一电压源，该第一栅极耦接于一第一参考电压；一第二p型金属氧化物半导体晶体管，该第二p型金属氧化物半导体晶体管具有一第二源极、一第二栅极、一第二漏极以及一第二基体端点，该第二源极耦接于该第一漏极，该第二栅极耦接于一第二参考电压，该第二漏极耦接于一输出垫；一第一n型金属氧化物半导体晶体管，该第一n型金属氧化物半导体晶体管具有一第三漏极、一第三栅极、一第三源极以及一第三基体端点，该第三漏极耦接于该输出垫，该第三栅极耦接于一第三参考电压；以及一第二n型金属氧化物半导体晶体管，该第二n型金属氧化物半导体晶体管具有一第四漏极、一第四栅极、一第四源极以及一第四基体端点，该第四漏极耦接于第三源极，该第四栅极耦接于一第四参考电压，该第四源极耦接于一接地点；其中，该些p型金属氧化物半导体晶体管以及该些n型金属氧化物半导体晶体管构成一双阱结构。