[发明专利]DC－DC（直流－直流）变换电路有效
| 申请号： | 200410092720.1 | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1617215A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 苅部正男 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了限制使用TFT的DC－DC变换电路的输出电压的变化，在升压型中，新近提供第二n沟道TFT N2和第二p沟道型TFT P2。关于第二n沟道型TFT N2，其栅极连接到第二电容器C2，其源极连接到第一基准电压源YVDD，而其漏极连接到第一电容器C1。关于第二沟道TFT P2，其栅极连接到所述第二电容器C2，其源极连接到第三电容器C3，而其漏极连接到所述第一电容器C1。这样，所述第一电容器C1的电压停止受到第一二极管的源极和漏极之间阈值电压变化的影响。 | ||
| 搜索关键词： | dc 直流 变换 电路 | ||
【主权项】：
1、一种DC-DC变换电路，其特征在于，包括：第一基准电压源；第一电容器，所述第一电容器的一端连接到第一时钟信号源；第二电容器，所述第二电容器的一端连接到第二时钟信号源，所述第二时钟信号源输出第一时钟信号的一个反相信号；第三电容器，用于输出从所述第一基准电压源输出的并经过升压的一个电压；第一n沟道薄膜晶体管，其栅极连接到所述第一电容器的另一端，其源极连接到所述第一基准电压源，而其漏极连接到所述第二电容器的另一端；第一p沟道薄膜晶体管，其栅极连接到所述第一电容器的另一端，其源极连接到所述第三电容器，而其他漏极连接到所述第二电容的另一端；第一二极管，按从所述第一电容器的另一端到所述第一基准电压源的正方向连接；第二N沟道薄膜晶体管，其栅极连接到所述第二电容器的另一端，其源极连接到所述第一基准电压源；及其漏极连接到所述第一电容器的另一端；第二p沟道薄膜晶体管，其栅极连接到所述第二电容器的另一端，其源极连接到所述第三电容器，而其漏极连接到所述第一电容器的另一端。
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