[发明专利]画素结构及其制造方法

摘要

本发明是关于一种画素结构及其制造方法，其中的画素结构包括一薄膜电晶体、一画素电极、一共用配线、一第一介电层与一第二介电层。薄膜电晶体与画素电极均配置在基板上，且画素电极是与薄膜电晶体电性连接。共用配线是配置在画素电极下方的基板上，而第一介电层由薄膜电晶体中延伸至画素电极下方，以覆盖共用配线。第二介电层是覆盖薄膜电晶体，并由薄膜电晶体延伸至画素电极下方。画素电极与共用配线是耦合为一储存电容，且画素电极与共用配线之间的最小距离是小于薄膜电晶体中的第一介电层与第二介电层的厚度总和。

主权项

1、一种画素结构，适于藉由一基板上的一扫描配线以及一资料配线控制，其特征在于其包括：一薄膜电晶体，配置在该基板上，其中该薄膜电晶体是藉由该扫瞄配线与该资料配线控制；一画素电极，配置在该基板上，且该画素电极是与该薄膜电晶体电性连接；一共用配线，配置在该画素电极下方的该基板上；一第一介电层，由该薄膜电晶体中延伸至该画素电极下方，以覆盖该共用配线；以及一第二介电层，覆盖该薄膜电晶体，并由该薄膜电晶体延伸至该画素电极下方，其中该画素电极是与该共用配线是耦合成一储存电容，且该画素电极与该共用配线之间的最小距离是小于该薄膜电晶体中该第一介电层与该第二介电层的厚度总和。