[发明专利]半导体封装用覆层玻璃有效
| 申请号： | 200410092909.0 | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1616364A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 桥本幸市;二上勉 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/093 | 分类号： | C03C3/093;C03C3/11;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供作为澄清剂不含有As2O3，而且限制了Sb2O3或Sb2O5的含量，同时气泡少的半导体封装用覆层玻璃。本发明的玻璃的特征是，以质量％计，含有SiO2 58～72％、Al2O3 0.5～15％、B2O38～18％、碱金属氧化物7.5～20％、碱土类金属氧化物0～20％、ZnO0～10％、Sb2O3+Sb2O5 0～0.2％、F2+Cl2+C+SO3+SnO2 0.01～3％，实际上不含As2O3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 覆层 玻璃 | ||
【主权项】：
1.半导体封装用覆层玻璃，其特征在于以质量％计，含有SiO2 58～72％、Al2O3 0.5～15％、B2O3 8～18％、碱金属氧化物7.5～20％、碱土类金属氧化物0～20％、ZnO 0～10％、Sb2O3+Sb2O5 0～0.2％、F2+Cl2+C+SO3+SnO2+CeO2 0.01～3％，实际上不含As2O3。
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