[发明专利]选择性电镀半导体器件的输入/输出焊盘的方法有效
| 申请号： | 200410092929.8 | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1630039A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 郑天人;戴维·F·埃施塔德;乔纳森·H·格里菲思;萨拉·H·尼克尔伯克尔;罗斯玛丽·A·普莱维蒂－凯利;罗格尔·A·居昂;卡马列什·斯里瓦斯塔瓦;黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/60;C25D5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种选择性电镀半导体输入/输出(I/O)焊盘的方法，包含在半导体基体的钝化层上形成钛－钨(TiW)层，所述TiW层还延伸到成形于所述钝化层上用于露出所述I/O焊盘的开口中，使得TiW层覆盖所述开口的侧壁和所述I/O焊盘的顶面。在所述TiW层上形成种子层。选择性去除所述种子层的一部分，使剩余的种子层材料对应于所述I/O焊盘的所需的互连冶金位置。使用所述TiW层作为导电电镀介质，在所述种子层材料上电镀至少一个金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 电镀 半导体器件 输入 输出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择性电镀半导体输入/输出(I/O)焊盘的方法，包含在半导体基体的钝化层上形成钛-钨(TiW)层，所述TiW层还延伸到成形于所述钝化层上用于露出所述I/O焊盘的开口中，使得TiW层覆盖所述开口的侧壁和所述I/O焊盘的顶面；在所述TiW层上形成种子层；选择性去除所述种子层的一部分，使剩余的种子层材料对应于所述I/O焊盘的所需的互连冶金位置，并且使用所述TiW层作为导电电镀介质，在所述剩余的种子层材料上电镀至少一个金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410092929.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
