[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410092933.4 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1624923A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 小池英敏;佐贯朋也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/822;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过用金属形成沟槽电容器的电极的至少一部分，可以降低电极的表面电阻，因为可以缩短由CR延迟引起的信号传播时间，所以可以缩短读出/写入时间。此外，通过形成埋入栅电极，可以实现用DRAM以及DRAM/逻辑电路混合器件求得的单元面积的微细化，栅长度变长，可以降低短沟道效应，由于在栅电极上淀积绝缘保护膜，因而可以自对准形成位线触点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，以位线触点为中心设置4个存储电容器，大致呈并联十字形状，上述4个存储电容器的各自可以对上述位线触点连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
