[发明专利]有机抗反射聚合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200410092956.5 | 申请日： | 2000-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1699436A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 洪圣恩;郑旼镐;白基镐 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | C08F220/10 | 分类号： | C08F220/10;C09D133/08;H01L31/036 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及适用于采用193nm ArF辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物，抗反射涂料组合物，及其制备方法。所述聚合物含有在193nm波长处具有高吸收的苯基侧基。当本发明的抗反射涂料用于形成超细图案时，消除了在晶片下层的光学性质及其上的光敏薄膜厚度的改变而引起的驻波，也可防止光从下层衍射及反射而引起临界尺寸变化。本发明的抗反射涂料可稳定地生成适用于半导体器件的超细图案，且产率大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 反射 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、由下述通式2表示的聚合物：![]()
(通式2)其中，Ra、Rb、Rc和Rd均为氢或甲基；R1表示氢、羟基，经取代或未取代的、直链或支链的C1-C5烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷基；x、y和z均为0.01-0.99的摩尔分数；且n1和n2均为1-4的整数。
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