[发明专利]带有用于降低浆液消耗的凹槽排列的研磨垫有效
| 申请号： | 200410092980.9 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1617307A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·P·马尔多奈伊 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;B24B1/00;B24B7/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种研磨垫(200)，其包括带有用于研磨晶片(220)的研磨区(208)的研磨层(204)。研磨层包括一组流入凹槽(232)和一组流出凹槽(236)，其中，所述流入凹槽(232)延伸入研磨区内，所述流出凹槽(236)延伸出研磨区外。流入凹槽和流出凹槽相互配合，从而在晶片研磨过程中提高了研磨浆液的利用。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 用于 降低 浆液 消耗 凹槽 排列 研磨 | ||
【主权项】：
1.一种用于研磨半导体衬底表面的研磨垫，所述研磨垫包括：(a)研磨层，其包括：(i)中心区；(ii)与中心区间隔开的外周边缘；及(iii)通常为环形的研磨区，其用以研磨工件的表面，且具有邻近中心区的内周和与内周间隔开的外周；(b)研磨层中的多个第一凹槽，多个第一凹槽中的每个凹槽都具有位于中心区内的第一端和位于研磨区内的第二端；(c)研磨层中的多个第二凹槽，多个第二凹槽中的每个凹槽都与多个第一凹槽中的每一个间隔开，且具有位于研磨区内的第一端，和位于以下两者中的至少一个内的第二端：(i)外周边缘；(ii)从研磨区的外周径向向外的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
