[发明专利]检测新旧掩膜版差别的方法无效

专利信息
申请号: 200410093012.X 申请日: 2004-12-15
公开(公告)号: CN1790655A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 陈杰 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/027;H01L21/00;G03F1/00;G03F7/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种检测新旧掩膜版差别的方法。利用缺陷检测设备来区别新旧两块掩膜板的不同图形,通过定义硅片上芯片的布局,在曝光后直接比较的两块不同掩膜板的图形。本发明的检测方法直观、精确度高,且所需的时间短,可用于检测新旧掩膜版的差别。
搜索关键词: 检测 新旧 掩膜版差 别的 方法
【主权项】:
1、一种检测新旧掩膜版差别的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,在预备的光片上曝光要进行比较的两块不同掩膜版的图形;第二步,编检查缺陷机台检查文件;第三步,定义一个曝光单元内所检查的图形,并对硅片图形的明暗度进行测光,使检查缺陷机台得到最佳的光强;第四步,找到并定义硅片扫描对准所需的两个有特征的图形;第五步,定义该文件的模式及参数,并测试硅片,根据硅片的测试结果,即缺陷的多少来调整机台的感度值,使之找到我们所要求的缺陷;第六步,给文件命名并保存。
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