[发明专利]两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法无效
| 申请号： | 200410093022.3 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1657661A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赵志伟;徐军;邓佩珍;姜本学;郭华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法，其特征在于包括以下步骤：①将Nd:GGG原料按照配方比例用万分之一克精度的电光天平进行称量，混匀，装入适当尺寸的压料模具中，用液压机在0.5－1.5MP的压力下压制成型，脱模；②将压好的原料饼块放入马弗炉中，在1250－1600℃温度下烧结12－36小时，降温出炉；③将原料快放入研钵中研碎成粉，放入模具中，用液压机在2.0－3.0MP的压力下压制成型，脱模；④将压好的原料饼块放入马弗炉中，在1250－1600℃温度下烧结12－36小时，降温出炉。本发明方法合成的原料均匀性好，挥发性小，用这种原料制备的晶体缺陷大大减少，改善了Nd:GGG晶体的光谱和激光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 制备 掺钕钆镓 石榴石 原料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法，其特征在于包括以下步骤：①将Nd：GGG原料按照配方比例用万分之一克精度的电光天平进行称量，混匀，装入适当尺寸的压料模具中，用液压机在0.5-1.5MP的压力下压制成型，脱模；②将压好的原料饼块放入马弗炉中，在1250-1600℃温度下烧结12-36小时，降温出炉；③将原料快放入研钵中研碎成粉，放入模具中，用液压机在2.0-3.0MP的压力下压制成型，脱模；④将压好的原料饼块放入马弗炉中，在1250-1600℃温度下烧结12-36小时，降温出炉。
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