[发明专利]大尺寸高质量铝酸锂晶片的制备方法无效
| 申请号： | 200410093027.6 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1657660A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;邹军;徐军;张连翰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种大尺寸、高质量铝酸锂晶片的制备方法，其特征是将提拉法(Cz)和气相传输平衡法结合起来制备大尺寸高质量的铝酸锂单晶片。本发明制备方法主要可分为两个步骤：(1)用提拉法快速生长出大尺寸(≥2英寸)铝酸锂晶体；(2)从所得的晶体上切取所需要的晶片，采用气相传输平衡法对晶片进行处理，可大幅度提高晶片质量，得到高质量的晶片。本发明方法简单，成本低，周期短，可用于解决GaN基LEDs和LDs器件制作中的关键问题，具有广阔的应用前景和巨大的经济和社会效益。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 质量 铝酸锂 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大尺寸高质量铝酸锂晶片的制备方法，其特征是：将提拉法和气相传输平衡法结合起来制备大尺寸高质量的铝酸锂晶片。
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