[发明专利]一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200410093241.1 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1797720A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张复才 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法：选择一种半导体衬底；在半导体衬底中形成非本征集电区；在半导体衬底中形成隔离晶体管的下隔离层的准备层；在非本征集电区上形成本征集电区；在本征集电区中形成隔离晶体管的下隔离层；在本征集电区中形成联接非本征集电区的插塞；在本征集电区中形成隔离晶体管的上隔离层；在本征集电区上形成本征基区；在本征基区上形成非本征基区；在本征基区上形成发射区，并且该发射区被本征基区所包围；在形成发射区的同时，在插塞上形成集电极区。本发明一是利用双层隔离，使得晶体管的面积较小；二是本征基区方块电阻较小；三是集电极饱和压降低；四是用节省的方法，得到平坦的引线孔前为保护晶体管表面所需的电介质膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 纵向 平面 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法，包括下列步骤：选择一种低浓度掺杂的半导体衬底；在半导体衬底中形成高浓度掺杂的非本征集电区；在半导体衬底中形成隔离晶体管的下隔离层的准备层；在非本征集电区上形成低浓度掺杂的本征集电区；在本征集电区中形成隔离晶体管的下隔离层；在本征集电区中形成联接非本征集电区的高浓度掺杂的插塞；在本征集电区中形成隔离晶体管的上隔离层，并且上隔离层和下隔离层连通；在本征集电区上形成低浓度掺杂的本征基区；在本征基区上形成高浓度掺杂的非本征基区；在本征基区上形成高浓度掺杂的发射区，并且该发射区被本征基区所包围；在形成发射区的同时，在插塞上形成集电极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
