[发明专利]高密度增强型可录式多用数字光盘无效
申请号: | 200410093314.7 | 申请日: | 2004-12-21 |
公开(公告)号: | CN1632869A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 魏劲松;干福熹;王阳;吴谊群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高密度增强型可录式多用数字光盘,包括第一介电层、金属氧化物信息记录层、第三介电层和盘基,其特征是在所述的第一介电层和金属氧化物信息记录层之间还有第一非线性光学掩膜层和第二介电层,在第三介电层和盘基之间还有第二非线性光学掩膜层和第四介电层,所述的介电层均用氮化硅或ZnS-SiO2构成;所述的非线性光学掩膜层由AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成,金属氧化物信息记录层由PtOx或AgOx组成,所述的盘基为聚碳酸酯或K9玻璃。本发明光盘通过使用激光波长为650nm红光,数值孔径为0.60的光学头,实现信息点尺寸在200nm及其以上的记录和读出。使直径为5英寸的可录式光盘的单面单层容量达到11.5GB,双面单层的容量达到23GB。 | ||
搜索关键词: | 高密度 增强 型可录式 多用 数字 光盘 | ||
【主权项】:
1、一种高密度增强型可录式多用数字光盘,包括第一介电层(1)、金属氧化物信息记录层(4)、第三介电层(5)和盘基(8),其特征是在所述的第一介电层(1)和金属氧化物信息记录层(4)之间还有第一非线性光学掩膜层(2)和第二介电层(3),在第三介电层(5)和盘基(8)之间还有第二非线性光学掩膜层(6)和第四介电层(7),所述的第一介电层(1)、第二介电层(3)、第三介电层(5)和第四介电层(7)均用氮化硅或ZnS-SiO2构成;所述的第一非线性光学掩膜层(2)和第二非线性光学掩膜层(6)由AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成,所述的金属氧化物信息记录层(4)由PtOx或AgOx组成,其中参数x的取值范围为0.1和2之间的任意值;所述的盘基(8)为聚碳酸酯或K9玻璃。
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