[发明专利]光刻用硫化物半导体掩膜无效
| 申请号： | 200410093319.X | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1624873A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张锋;徐文东;王阳;干福熹;杨金涛;高秀敏;周飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻用硫化物半导体掩膜，其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗，锗锑碲，银铟锑碲，碲化锑或锑。本发明硫化物半导体掩膜材料由于材料的三阶非线性效应，能大大减小光斑或者刻蚀线宽，刻蚀点或刻蚀线宽是光斑衍射极限的1/3－1/6，比采用金属铟(In)(60％)的效果更明显，同时需要的激光功率也大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 硫化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种光刻用硫化物半导体掩膜，其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗、锗锑碲、银铟锑碲、碲化锑或锑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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