[发明专利]片式陶瓷基电子元件的制造方法无效
| 申请号： | 200410093324.0 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1624816A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 钱朝勇;沈十林;周欣山 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C7/04;H01C7/10 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种陶瓷基片式电子元件的制造方法，特别是应用越来越广泛的片式PTC、片式NTC、片式压敏电阻的制造方法。片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件。本发明在投资较小规模设备的同时，可制得片式热敏电阻，也可用同样的方法制得压敏电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件。
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