[发明专利]一种高温PTC热敏电阻器的制造方法有效
| 申请号： | 200410093325.5 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1624817A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峰;侯李明;王军;王勇 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种高温高分子PTC热敏电阻器的制造方法，涉及以结晶半结晶高聚物及其共混物为主要原料的电子元器件制造方法。一种高温PTC热敏电阻器的制造方法，先将芯片成型后，将芯片置于高分子聚合物熔点以上5～30℃的加热设备中5～50分钟，然后将其缓慢冷却到室温，随后进行辐照，辐照剂量范围为20KGy至500KGy的0.2～0.7倍，辐照以后，再将芯片置于高分子聚合物熔点以上5～30℃的加热设备中5～50分钟，然后将其缓慢冷却到室温，再进行第二次辐照，辐照剂量为20KGy至500KGy的0.4～0.8倍。本发明方法使得高温PTC热敏电阻器的室温电阻均匀，耐流或耐压能力好，耐流或耐压后的电阻变化率均一，使用温度上限大大提高，消除了高温时的NTC现象以确保其正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 ptc 热敏 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高温PTC热敏电阻器的制造方法，先将芯片成型后，将芯片置于高分子聚合物熔点以上5～30℃的加热设备中5～50分钟，然后将其缓慢冷却到室温，随后进行辐照，辐照剂量范围为20KGy至500KGy的0.2～0.7倍，辐照以后，再将芯片置于高分子聚合物熔点以上5～30℃的加热设备中5～50分钟，然后将其缓慢冷却到室温，再进行第二次辐照，辐照剂量为20KGy至500KGy的0.4～0.8倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维安热电材料股份有限公司，未经上海维安热电材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410093325.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
