[发明专利]在半导体器件中实施铜连线的空隙工艺方法有效
| 申请号： | 200410093353.7 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797737A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张宜;高峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件中实施铜连线的工艺方法，在一层通孔和铜连线工以后，生长一层硅，在该基片上涂上光刻胶，用一块特殊光刻版做一次光刻；光刻后，应用干刻工艺，刻除上层的硅，剥去光刻胶；再应用各向同性的干刻方法，刻去缝隙孔中及孔间距的硅下面的铜线间介质；然后，用填空性差的USG将硅开孔封上；再淀积上层介质层，开始下一层通孔和铜连线工艺。本发明可以减少铜线横向间寄生电容，以减少对电路运行速度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 实施 连线 空隙 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件中实施铜连线的工艺方法，其特征在于：在一层通孔和铜连线做成的最后一道工序是铜CMP，此后，生长一层氮化硅，在该基片上涂上光刻胶，用一块特殊光刻版做一次光刻；光刻后，应用干刻工艺，刻除上层的氮化硅，剥去光刻胶；再应用各向同性的干刻方法，刻去缝隙孔中及孔间距的硅下面的铜线间介质；然后，用填空性差的USG将氮化硅开孔封上；再淀积上层介质层，开始下一层通孔和铜连线工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
