[发明专利]改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺无效
| 申请号： | 200410093367.9 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1655323A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈志君;张峰;张正选 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入后引入二氧化硅层缓解高温退火下锗的外扩散和晶格质量恶化，得到锗含量高的绝缘体上的硅锗材料。离子注入的能量是15～80keV，注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；在1200～1375℃范围内退火，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，最后去除二氧化硅保护层。制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，锗含量高，全释放。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 隔离 技术 制备 绝缘体 材料 结构 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构，以半导体为衬底，其特征在于在衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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