[发明专利]在暴露的low k材料表面淀积保护性介质层的方法无效
| 申请号： | 200410093449.3 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1649123A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。在使用lowk材料尤其是多孔lowk材料时，为了避免lowk材料在某些等离子体工艺中受到损伤，如与O反应，或在随后的金属淀积时金属进入lowk材料小孔的内部，或者金属层淀积在侧壁上不牢而对器件性能或可靠性造成影响，通过选择性气相或液相外延的方法将诸如氧化硅等比较致密的介质淀积在暴露的孔和槽的侧壁上，形成外延保护层，从而取得了良好的工艺效果。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 low 材料 表面 保护性 介质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在双大马士革结构中暴露的多孔lowk材料表面沉积保护性介质层的方法，其特征在于在双大马士革结构刻蚀结束后，通过选择性外延的方法，在暴露的多孔或非多孔lowk材料表面淀积致密介质，形成外延保护层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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