[发明专利]提高表面降场型LDMOS器件耐压的工艺有效
| 申请号： | 200410093453.X | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1632931A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属半导体集成电路制造工艺技术领域，具体为一种提高表面降场(RESURF＝REduced SURface Field)型LDMOS器件关态击穿电压并同时保证开态导通电阻的工艺集成技术。具体是使场多晶区域覆盖有源区，N+扩散层在所有工艺完成以后其边缘与鸟嘴21边缘分离，分离距离为2～5微米，从而减小鸟嘴应力对漏端电场强度的影响，继而进一步提高晶体管关态击穿电压，这一方法对晶体管的开态导通电阻的影响非常有限，确保了晶体管的开态工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 表面 降场型 ldmos 器件 耐压 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种提高表面降场型LDMOS器件耐压的工艺，其特征在于：表面降场型LDMOS器件中的场多晶区域(18)覆盖有源区(20)，N+扩散层(22)在所有工艺完成以后其边缘与鸟嘴(21)边缘分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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