[发明专利]一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺无效
| 申请号： | 200410093458.2 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1649106A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种对低介电材料表面等离子体处理形成光学抗反射层的工艺。本发明中对低介电材料表面进行2～5次等离子体处理，并通过调节处理时间、温度、压力工艺参数，调节表面介质薄膜的折射率、消光系数，从而形成表面抗反射薄膜，取代工业界常规使用的有机、无机抗反射层，大大简化工艺操作，并节约化学试剂的使用。而且，在低介电材料表面形成的抗反射薄膜层将会在后续刻蚀、化学机械抛光工艺中移除，这样介电常数将不会变化，仍然具有低介电常数的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 材料 表面 进行 处理 形成 光学 反射层 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺，其特征是对低介电材料表面进行2～5次等离子体工艺处理，以调节材料表面折射率、消光系数，形成光学抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
