[发明专利]一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺无效
| 申请号： | 200410093459.7 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1632921A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 薛琳艳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路工艺技术领域，具体为一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺。其第一步是对光刻胶和有机抗反射层进行削减，再通过各向异性刻蚀形成自对准硬掩膜，然后在光刻胶与有机抗反射层的保护下对硬掩膜进行各向同性的横向刻蚀，完成第二步削减，形成小于90纳米的硬掩膜。本发明解决了光刻胶在长时间的削减工艺中损耗过大带来的一系列尺寸偏移、物理形貌倒塌等工艺问题，并提供了进一步减小栅极尺寸的可行性。两步削减工艺可以得到物理形貌良好的90至30纳米栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 减小 特征 尺寸 削减 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种减少栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺，其特征是，第一步对光刻胶和有机抗反射层进行削减，再通过各向异性刻蚀形成自对准硬掩膜，然后在光刻胶与有机抗反射层的保护下对硬掩膜进行各向同性的横向刻蚀，完成第二步削减，形成小于90纳米的硬掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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