[发明专利]一种新的超薄含氮栅介质制备方法无效
| 申请号： | 200410093461.4 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1632922A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 万星拱 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/324;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陆飞 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。具体为一种新的栅介质层制备方法。采用ISSG方法先制备一层薄氧化硅，再移入氮等离子体腔进行氮化，完毕后立即进行氮气氛退火。本发明提出一种高压脉冲等离子体氮化技术，得到了浓度与分布可控的含氮氧化硅介质层。实验证明，栅介质层沟道迁移率良好，栅极漏电流得到较大幅度抑制，同时硼穿透现象也被有效阻止。本发明方法可靠性好，操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 含氮栅 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含氮栅介质制备方法，其特征在于底部采用原位蒸汽产生法生长一层氧化硅，然后移入高压脉冲氮等离子体腔进行氮化，完毕后进行氮气氛退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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