[发明专利]半导体集成电路的内连焊盘有效
| 申请号： | 200410093466.7 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797756A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 俞大立;刘志纲;宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体集成电路的内连焊盘，焊盘包括：六层金属层M1－M6，分别设置在相邻金属层之间的多层介质层；和设置在发明焊盘的最底层金属层M1和顶层金属层M6之间金属电路2；其特征是，焊盘最底层金属层M1和顶层金属层M6的尺寸与焊盘的整体尺寸相同，最底层金属层M1和顶层金属层M6之间镶嵌类似于金属－介质－金属(MIM)结构的无源装置，无源装置的金属层不连续，无源装置的金属层图形随着电路图形变化而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 内连焊盘 | ||
【主权项】：
1、半导体集成电路的内连焊盘，焊盘包括：六层金属层M1-M6，分别设置在相邻金属层之间的多层介质层；和设置在发明焊盘的最底层金属层M1和顶层金属层M6之间金属电路2；其特征是，焊盘最底层金属层M1和顶层金属层M6的尺寸与焊盘的整体尺寸相同，最底层金属层M1和顶层金属层M6之间镶嵌类似于金属-介质-金属(MIM)结构的无源装置，无源装置的金属层不连续，无源装置的金属层图形随着电路图形变化而变化；焊盘最底层金属层M1起到分散应力的作用，使位于金属层之间的介质层的整体性在焊接过程中不被破坏，甚至在焊接过程中焊盘与其最接近的金属层之间的介质损坏时，漏电流也会在金属层终止，焊盘底层金属层M1保护器件在封装过程中不被损坏；焊盘顶层金属层M6，通过不在有源器件上的链路电连接，以防止损坏器件。
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