[发明专利]锁模激光器的高破坏阈值半导体可饱和吸收镜无效
| 申请号： | 200410093981.5 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1622401A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张志刚;王勇刚;柴路;李建萍;王清月 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/02 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 任延 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锁模激光器的高破坏阈值的半导体可饱和吸收镜，属于锁模激光器的可饱和吸收镜技术。该可饱和吸收镜包括硅片或镓砷的基片，金属膜层或由铝砷/镓砷构成的布拉格层的反射层，铝镓砷或铟铝镓砷构成的透明半导体层和镓砷或铟镓砷构成的半导体量子阱的可饱和吸收层，其特征在于，在可饱和吸收层表面增镀高反射膜层，所述的高反射膜层由至少三层膜层对构成，每层膜层对由1/4反射波长光学厚度的SiO2膜和ZrO2膜构成。本发明的显著优点是，由于在饱和吸收层表面增镀高反射膜层，该高反射膜层降低了透射光强，从而既提高了半导体可饱和吸收的抗激光破坏的能力，又增加了镜子的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 破坏 阈值 半导体 饱和 吸收 | ||
【主权项】：
1、一种锁模激光器的高破坏阈值半导可饱和吸收镜，该可饱和吸收镜包括硅片或镓砷的基片，金属膜层或由铝砷/镓砷构成的布拉格层的反射层，铝镓砷或铟铝镓砷构成的透明半导体层和镓砷或铟镓砷构成的半导体量子阱的可饱和吸收层，其特征在于，在可饱和吸收层表面增镀高反射膜层，该高反射膜层由至少三层膜层对构成，每层膜层对由1/4反射波长光学厚度的SiO2膜和ZrO2膜构成。
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