[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410094604.3 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1630095A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林勋;郑舜文;赵源锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供半导体器件和制造包括衬底和在衬底中限定衬底的有源区的器件隔离层的半导体器件的方法。器件隔离层具有垂直延伸超过衬底表面的侧壁的垂直突出部分。在有源区中的衬底表面上提供外延层，并延伸到器件隔离层上。外延层与器件隔离层的垂直突出部分的侧壁隔开。在外延层上提供栅极图形，在与栅极图形相对侧的外延层中提供源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：衬底；在衬底中限定衬底的有源区的器件隔离层，器件隔离层具有垂直延伸超过衬底表面的侧壁的垂直突出部分；在有源区中的衬底表面上的外延层，并延伸到器件隔离层上，外延层与垂直突出部分的侧壁隔开；在外延层上的栅极图形；以及在与栅极图形相对侧的外延层中的源极/漏极区。
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