[发明专利]发光二极管及半导体发光器件无效
| 申请号： | 200410094689.5 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1619849A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 齐藤裕久;广濑义幸;永井阳一;北林弘之;池田亚矢子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，具有：由氮化物半导体组成的半导体叠片，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，用于发射第一波段的光；设置在所述叠片的与所述第一导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第一光学反射层；设置在所述叠片的与所述第二导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第二光学反射层；以及设置在所述半导体叠片侧面的磷光体，用于接收所述第一波段的光，并发射第二波段的光。
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