[发明专利]场致发射的相变二极管存储器无效
| 申请号： | 200410094740.2 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1627546A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·S.·弗凯;戴维·霍拉克;仲·H.·兰姆;黄汉森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储单元，可以是存储器单元，和包括存储器单元阵列的集成电路芯片(IC)，以及形成所述IC的方法。每个存储单元在顶部和底部电极之间形成。每个单元包括可以是硫族化物的相变层，尤其是锗(Ge)，锑(Sb)，碲(Te)或GST层。所述单元还包括触针，其中触针的顶点接触GST层。所述顶点可以穿透所述GST层。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 相变 二极管 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包含第一电极；位于所述第一电极上的相变层；位于所述相变层上方的触针，所述触针的尖端接触所述相变层；以及接触所述触针的第二电极。
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