[发明专利]相变尖端存储单元有效
| 申请号： | 200410094745.5 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1627547A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 戴维·V·霍拉克;仲·H·兰姆;黄汉森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储单元、具有可能位于存储单元阵列中的一个或多个存储单元的集成电路(IC)、以及制作存储单元和IC的方法。各个存储单元包括其尖端是相变材料的触针。相变尖端可以被夹在电极与导电材料例如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或n型半导体之间。相变层可以是硫族化物，确切地说是锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)(GST)层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 尖端 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，它包含：第一电极；排列在所述第一电极上的触针，所述触针具有由相变材料组成的相变尖端；排列在所述第一电极上的所述相变尖端的顶端；以及与所述触针接触的第二电极。
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