[发明专利]集成电路的封装微电子机械系统带通滤波器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410094749.3 申请日: 2001-06-18
公开(公告)号: CN1618724A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: K·K·陈;C·杰尼斯;L·施;J·L·斯佩德尔;J·F·兹格勒 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;H01P1/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种使用封装的微电子机械系统(MEMS)器件的通信信号混频和滤波系统和方法。而且,公开了一种制造简单的整体构成的微电子机械系统(MEMS)器件的方法,它把信号混频和滤波的步骤组合起来,它比目前技术中采用的器件更小、更便宜、并在构造和操作上更可靠。
搜索关键词: 集成电路 封装 微电子 机械 系统 带通滤波器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种建造凹陷在硅晶片中的集成电路封装通信信号混频和滤波器件的方法;包含下列步骤:a)在所述晶片的表面涂敷掩蔽层,并在所述掩蔽层中产生与所述器件设计尺寸相称的窗口;b)在所述窗口内刻蚀沟槽进入硅晶片表面,以形成其深度对应所述器件预定厚度的沟槽;c)涂敷一层低温玻璃,把掩蔽层去掉,以便把玻璃层从所述晶片表面剥离,同时使玻璃层留在所述沟槽的底部;并加热玻璃以形成延伸在所述沟槽底部上的光滑表面;d)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽层,并去掉延伸在沟槽里面玻璃表面上的掩蔽层部分;淀积多个叠层,依次包含:i)第一导电层;ii)第一释放层;iii)第二导电层;iv)绝缘层;v)第三导电层;vi)第二释放层;vii)第四导电层;e)去掉掩蔽层,以便把淀积的层从所述晶片表面剥离,同时允许所述淀积层留在所述沟槽中;f)再在所述的晶片表面上涂敷掩蔽层,形成沟槽上的两个窗口;把在所述窗口里面的淀积层去掉,直至所述玻璃层表面,以便形成相应两个窗口的两个阱。
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