[发明专利]带有退藕的难偏置多层的磁阻传感器无效
| 申请号： | 200410094788.3 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1658287A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 玛丽－克莱尔·西里尔;丁萌;库奥克·S·霍;普拉卡什·卡西拉杰;欧内斯托·马里尼罗;詹姆斯·L·尼克斯;布赖恩·约克 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁传感器，具有两个通过用来消除偏置层之间交换耦合的退藕层隔开的偏置层。这两个偏置层可以具有不同的矫顽磁力，这样可以独立地调节由偏置层提供给自由层的磁偏置。通过退藕层使这两个偏置层的晶粒结构基本不相关。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 偏置 多层 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括：磁阻自由层；第一铁磁偏置置层，为该自由层提供第一磁偏置；第二铁磁偏置置层，为该自由层提供第二磁偏置；退藕层，放置在第一和第二偏置层之间，基本消除第一和第二偏置层之间的交换耦合。
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