[发明专利]制造半导体器件的方法和装置无效
| 申请号： | 200410094934.2 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1630028A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 河崎泰宏;米田健司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在形成用于侧壁或衬垫的BTBAS－SiN膜和用作偏移隔离层的氧化物膜的同时在半导体衬底背面侧上形成的BTBAS－SiN膜和氧化物膜完全被去除，从而使半导体衬底的背面暴露；在半导体衬底的背面被暴露后，利用静电吸盘或真空吸盘作为晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：第一步骤，在半导体衬底上形成用于栅电极的多晶硅膜；第二步骤，根据多晶硅膜的形成，去除形成在半导体衬底背面侧上的多晶硅膜；第三步骤，在半导体衬底上形成用作偏移隔离层的氧化物膜；第四步骤，在半导体衬底上形成用作侧壁和衬垫中的至少一个的BTBAS-SiN膜；第五步骤，去除形成在半导体衬底背面侧上的氧化物膜和BTBAS-SiN膜，从而使半导体衬底的背面暴露；以及第六步骤，在背面被暴露后，利用晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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