[发明专利]由烷基氯硅烷类直接合成的残余物制造烷基氯硅烷类的方法无效
申请号: | 200410094960.5 | 申请日: | 2004-11-19 |
公开(公告)号: | CN1637005A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | 赫伯特·施特劳塞尔格 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学有限公司 |
主分类号: | C07F7/12 | 分类号: | C07F7/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提供从烷基氯硅烷直接合成的残余物制备烷基氯硅烷的连续式方法,该残余物包括在1013hPa下沸点至少为70℃的液态组分、合适的场合下可包含的固体、以及氯化氢。该方法包括将温度不高于200℃的该残余物以及温度高于前者的氯化氢通入反应器,使所得的反应温度为400到800℃。 | ||
搜索关键词: | 烷基 硅烷 直接 合成 残余物 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种从烷基氯硅烷直接合成的残余物制备烷基氯硅烷的连续式方法,该残余物包括在1013hPa下沸点至少为70℃的液态组分、合适的场合下可包含的固体、以及氯化氢,该方法包括将温度不高于200℃的该残余物以及温度高于前者的氯化氢通入反应器,使所得的反应温度为400到800℃。
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