[发明专利]电子照相感光体和具有该感光体的图像形成装置有效
申请号: | 200410095244.9 | 申请日: | 2004-11-19 |
公开(公告)号: | CN1619424A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | 鸟山幸一;福岛功太郎;小幡孝嗣;有村拓也 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06;G03G15/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郭煜;庞立志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电子照相感光体,该电子照相感光体的灵敏度和光响应性高,并且即使在受光照射和发生环境变化以及反复使用的条件下,其电学特性也不会降低,而且清洁性优良,即便长期使用,所形成的图像也不会发生图像质量降低,耐久性优良。在电子照相感光体(1)中,感光层(14)含有由下述通式(1)表示的烯胺化合物,例如由下述通式(1-1)表示的烯胺化合物,同时,感光层(14)表面的表面自由能(γ)在20.0mN/m以上、35.0mN/m以下。 | ||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 具有 图像 形成 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子照相感光体(1、2、3),具有导电性基体(11)和设置于导电性基体(11)上的感光层(14、140),并且通过利用与图像信息相符合的光来使均匀带电的感光层(14、140)曝光以形成静电潜象,其特征在于,在该电子照相感光体(1、2、3)中,上述感光层(14、140)含有由下述通式(1)表示的烯胺化合物;而且其表面的表面自由能(γ)在20.0mN/m以上、35.0mN/m以下;(化1)
(式中,Ar1和Ar2各自表示可以具有取代基的芳基或者可以具有取代基的杂环基。Ar3表示可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂环基、可以具有取代基的芳烷基或者可以具有取代基的烷基。Ar4和Ar5各自表示氢原子、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂环基、可以具有取代基的芳烷基或者可以具有取代基的烷基。但是,Ar4和Ar5不能同时为氢原子。Ar4和Ar5也可以通过原子或原子团相互键合而形成环状结构。a表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的二烷基氨基、可以具有取代基的芳基、卤素原子或氢原子,m表示1~6的整数。当m为2以上时,多个a之间可以相同或不同,也可以通过相互键合而形成环状结构。R1表示氢原子、卤素原子或者可以具有取代基的烷基。R2、R3和R4各自表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂环基或者可以具有取代基的芳烷基。n表示0~3的整数,当n为2或3时,多个R2之间可以相同或不同,多个R3之间也可以相同或不同。但是,当n为0时,Ar3表示可以具有取代基的杂环基。)
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