[发明专利]倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法

摘要

一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层，发光有源区和P型氮化镓层；在P型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；将蓝宝石衬底从背面减薄；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层；利用光刻和电镀或蒸发、溅射、印刷的方法分别在P型、N型引出电极的部分区域制作P型金属焊料凸块和N型金属焊料凸块；利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起；根据设计的管芯大小，将支撑体用划片或切割的方法分割成具有单个管芯的支撑体，也可以先将支撑体切割成单个管芯的支撑体之后，再利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起。

主权项

1、一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石等绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法依次外延生长氮化镓N型接触层，发光有源区和P型氮化镓层；步骤2：在P型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层，按照设计好的芯片图形在二氧化硅或氮化硅绝缘层上刻蚀出窗口，在裸露出P型氮化镓层的窗口制备具有高反射率的P型欧姆接触电极；步骤3：将蓝宝石衬底从背面减薄到70μm到150μm之间，利用管芯分割技术将外延片上的管芯分割成单个管芯；步骤4：在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，用光刻和蒸发或溅射的方法在沉积有二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层的支撑体上制作P型引出电极、N型引出电极；步骤5：利用光刻和电镀或蒸发、溅射、印刷的方法分别在P型、N型引出电极的部分区域制作P型金属焊料凸块和N型金属焊料凸块，N型金属焊料凸块高于P型金属焊料凸块，以保证压焊后N型金属焊料能够与芯片侧面N型外延层充分接触，或者N型金属焊料凸块和P型金属焊料凸块高度一致，但是P型金属焊料凸块制作成具有一定占空比的图形，压焊后P型金属焊料凸块层高度降低，也能保证压焊后N型金属焊料能够与芯片侧面N型外延层充分接触；步骤6：利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起，与管芯P电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起，氮化镓基发光二极管芯片的P型电极与支撑体正电极焊料凸块对准，芯片侧面位于支撑体负电极焊料凸块范围；步骤7：根据设计的管芯大小，将支撑体用划片或切割的方法分割成具有单个管芯的支撑体，也可以先将支撑体切割成单个管芯的支撑体之后，再利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起。