[发明专利]制造晶体管和使用该晶体管的图像显示设备的方法无效
申请号: | 200410095345.6 | 申请日: | 2004-11-24 |
公开(公告)号: | CN1624886A | 公开(公告)日: | 2005-06-08 |
发明(设计)人: | 金男;李乙浩 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;G09G3/38;H05B33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种用于制造晶体管的方法,包括:在衬底上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘膜;在第一绝缘膜上形成栅电极。本方法还包括:在半导体层中形成源极区域、沟道区域和漏极区域;在栅电极上形成第二绝缘膜。在第二绝缘膜上形成源电极和漏电极,并且分别耦合至源极区域和漏极区域。本方法还包括:通过接触孔将漏电极耦合至栅电极,该接触孔垂直地处于沟道区域的上方。 | ||
搜索关键词: | 制造 晶体管 使用 图像 显示 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造晶体管的方法,包括:在衬底上形成半导体层;在所述半导体层上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成栅电极;在所述半导体层中形成源极区域、沟道区域和漏极区域;在所述栅电极上形成第二绝缘膜;在所述第二绝缘膜上形成源电极和漏电极,以通过所述第一和第二绝缘膜进行发射,从而所述源电极和所述漏电极分别耦合至所述源极区域和所述漏极区域;以及通过所述第二绝缘膜中的接触孔将所述漏电极耦合至所述栅电极,其中所述接触孔形成在所述沟道区域上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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