[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410095452.9 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1758447A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李基龙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；在衬底上形成的多个半导体层，所述半导体层包括不同尺寸的颗粒，所述颗粒通过使用包含具有预定分布的金属催化剂并具有预定高度和宽度的覆盖层图形，将所述覆盖层下面的非晶硅层结晶成多晶硅层而获得；和在半导体层上形成的栅极绝缘层，栅电极，层间绝缘层，和源极与漏极。
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