[发明专利]固态成像装置及其制造方法无效
申请号: | 200410095512.7 | 申请日: | 2004-11-25 |
公开(公告)号: | CN1622334A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 山本清文;西田和弘 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L21/00;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法。固态成像装置的半导体基片与盖玻片相连,之后进行背研使厚度变小。半导体基片的第一面设有多个具有图像传感器和连接到各个图像传感器上的接触端子的单元。在接触端子的位置上,在半导体基片的底面形成多个通孔,接触端子在半导体基片的第二面上显露出来。在安装基片的互连电路图形上形成有柱状突出。当半导体基片安装到安装基片上时,柱状突出进入通孔与接触端子接触。这样,互连电路图形与图像传感器电连接。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:具有第一面和第二面的半导体基片,所述第一面设有多个图像传感器和连接到各个图像传感器上的多个接触端子,所述每个接触端子通过从所述半导体基片的所述第二面一侧穿过形成的所述通孔在所述第二面上显露出来;半透明组件,其叠加在所述半导体基片的所述第一面上,用于密封所述图像传感器和所述接触端子;其上安装有所述半导体基片的安装基片;和多个突起,其形成在所述半导体基片和所述安装基片中的至少一个上,用于连接所述每个通孔中的所述接触端子到所述安装基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410095512.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投影光学单元和投影型图像显示装置
- 下一篇:计量装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的