[发明专利]以串叠架构实现的单端输入至差动对输出的低噪声放大器

摘要

一种以串叠架构实现的单端输入至差动对(Differential－pair)输出的低噪声放大器，用以解决公知的单端输入至差动对输出的低噪声放大器较耗费电流与较占面积的问题。以串叠架构实现的单端输入至差动对输出的低噪声放大器，其中需对该低噪声放大器内的各晶体管提供工作偏压，该低噪声放大器系包括若干个晶体管、若干个电容性阻抗及若干个电感性阻抗电性连接而成。本发明的目的，除了低成本小面积与节省电流消耗的优点外，本发明与公知技术在相同电流消耗下，可拥有较高的线性度(Linearity)与增益(Gain)。

主权项

1.一种以串叠架构实现的单端输入至差动对输出的低噪声放大器，其特征在于：需对该低噪声放大器内的各晶体管提供工作偏压，该低噪声放大器系包括：第一金氧化物半导体场效晶体管与第二金氧化物半导体场效晶体管，系用于将信号放大，信号由各金氧化物半导体场效晶体管中的栅极端、漏极端及源极端进行输入/输出；第一电容性阻抗，其一端电性连接第一金氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端电性连接第二金氧化物半导体场效晶体管栅极端，在高频时第一电容性阻抗将形成低阻抗；第一电感性阻抗，其一端电性连接于第一金氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端电性连接第二金氧化物半导体场效晶体管源极端，在高频时第一电感性阻抗将形成高阻抗；第二电感性阻抗，其一端电性连接第二金氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端电性连接第一电压源，在高频时第二电感性阻抗将形成高阻抗；第二电容性阻抗，其一端电性连接第二金氧化物半导体场效晶体管的源极端，其另一端电性接地，在高频时第二电容性阻抗将形成低阻抗；及第三电感性阻抗，其一端电性连接第一金氧化物半导体场效晶体管的源极端，其另一端电性连接第二电压源，在高频时为匹配阻抗之用；借此，在第一金氧化物半导体场效晶体管的栅极端输入高频信号，则第二金氧化物半导体场效晶体管与第一金氧化物半导体场效晶体管的漏极端输出差动对放大信号。