[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200410095631.2 | 申请日: | 2004-11-26 |
公开(公告)号: | CN1622462A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 上野洋挥 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,该器件可以缩短接口缓冲器的阻抗匹配的初始化周期并尽可能减小在其后的精确控制时对其它电路的影响。所述半导体器件(1)包括:接口缓冲器(18a至18c),其内部阻抗由阻抗控制数据来控制;以及一个产生所述阻抗控制数据的阻抗控制电路(35)。所述阻抗控制电路包括通过由预定阻抗控制阶引起的二分检索和比较操作来初始产生所述阻抗控制数据并将所述阻抗控制数据设置在所述接口缓冲器中的第一阻抗控制模式以及通过由所述预定阻抗控制阶引起的顺序比较操作来更新设置在所述接口缓冲器中的所述阻抗控制数据的第二阻抗控制模式。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:接口缓冲器,其内部阻抗由阻抗控制数据来控制;以及一个产生所述阻抗控制数据的阻抗控制电路,其中,所述阻抗控制电路包括第一阻抗控制模式,所述第一阻抗控制模式通过根据预定阻抗控制阶的二分检索和比较操作产生所述阻抗控制数据,并将所述阻抗控制数据设置在所述接口缓冲器中,以及第二阻抗控制模式,该第二阻抗控制模式通过根据所述预定阻抗控制阶的顺序比较操作来更新设置在所述接口缓冲器中的所述阻抗控制数据。
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