[发明专利]处于深度关机模式的记忆体晶片的内部功率管理架构无效
| 申请号： | 200410095632.7 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1779852A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丁达刚;王明弘;许人寿;戎博斗 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/41;G11C7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明叙述一种用于记忆体晶片的深度关机模式的方法，其中电压调整器及电荷帮浦电路会关闭、记忆单元电压会浮接、以及支援电路内部电源供应电压是由从外部晶片电压所得到的电压来取代。在进入深度关机模式之前，所有记忆单元会进入预充状态，在进入深度关机模式之后，记忆单元电压会浮接。可使外部所得到电压连接至支援电路电源供应电压线的通过电路是由深度关机讯号来控制。当记忆体晶片离开深度关机模式时，保持支援电路上的电压偏压可防止栓锁问题产生。 | ||
| 搜索关键词： | 处于 深度 关机 模式 记忆体 晶片 内部 功率 管理 架构 | ||
【主权项】：
1.一种深度关机电路，其特征在于：用以节省一低功率记忆体晶片的功率，包括：a)多个通闸电路，其各个是藕接至位于该低功率记忆体晶片内部的电荷帮浦电路及电压调整器的输出；以及b)当该些电荷帮浦、该些电压调整器及电压产生器处于一深度关机模式而关闭时，该些通闸电路会使该低功率记忆体晶片的一外部电压藕接至记忆体支援电路。
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