[发明专利]电平移位电路无效
| 申请号： | 200410095645.4 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1622463A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 田中启司;皿井修;种村文法;伊达义人;铃木润 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在带锁存功能的电平移位电路中，为了切断输入级的贯穿电流，通过设置在预充电期间导通的预充电用PMOS晶体管MP1、在数据输入期间输入数据并放电的NMOS晶体管MN1、及在电平移位后保持数据的晶体管MP2，从而各晶体管能以最小的电平构成。又因该电平移位电路具有锁存功能，所以能省去锁存输入数据的电路，能减小电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电平移位电路，其特征在于，是将以第1电压(VDD1)动作的输入信号(Data)变换成以比其高的第2电压(VDD2)动作的信号的电平变换电路，第2电压(VDD2)和GND电平(VSS)间串联连接第1P沟道晶体管(MP1)、第1N沟道晶体管(MN1)、及第2N沟道晶体管(MN2)，所述第1P沟道晶体管(MP1)的漏极与第1反相器(INV2)的栅极连接，所述第1反相器(INV2)的输出与第2反相器(INV3)的输入连接，第2P沟道晶体管(MP2)的源极与所述第2反相器(INV3)的输出连接，所述第2P沟道晶体管(MP2)的漏极与所述第1反相器(INV2)的输入连接，从控制电路部(20)向所述第1P沟道晶体管(MP1)的栅极、所述第2N沟道晶体管(MN2)的栅极、及所述第2P沟道晶体管(MP2)的栅极供给控制信号(VPA、VNB、VPC)，以第1电压(VDD1)动作的输入信号(Data)外加在所述第1N沟道晶体管(MN1)的栅极上，从所述第1反相器(INV2)的输出或所述第2反相器(INV3)的输出将以第2电压(VDD2)动作的输出信号(OUT1、OUT2)输出。
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