[发明专利]磁性材料的干法刻蚀方法无效
申请号: | 200410095907.7 | 申请日: | 2004-07-23 |
公开(公告)号: | CN1603468A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 小平吉三;广见太一 | 申请(专利权)人: | 安内华股份有限公司 |
主分类号: | C23F4/00 | 分类号: | C23F4/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提出一种在使用由非有机材料构成的掩膜材料刻蚀磁性材料的情况下,不需要后腐蚀处理和对刻蚀装置的抗腐蚀性对策,减少使磁特性劣化的刻蚀损伤的方法。一种干法刻蚀方法,作为刻蚀气体,使用至少具有一个以上羟基的醇,形成该刻蚀气体的等离子体,使用由非有机系材料构成的掩膜材料干法刻蚀磁性材料。在使用具有一个羟基的醇作为刻蚀气体的情况下,该刻蚀气体是从由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)构成的组中选择的醇。 | ||
搜索关键词: | 磁性材料 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种干法刻蚀方法,作为刻蚀气体,使用至少具有一个以上羟基的醇,形成该刻蚀气体的等离子体,使用由非有机系材料构成的掩膜材料干法刻蚀磁性材料。
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